韓国、次世代半導体技術開発に1兆ウォン投資発表

韓国科学技術情報通信部は8月26日、次世代半導体技術開発を目的とした「K-Semiconductor 2030」プロジェクトに総額1兆ウォン（約750億円）を投資すると発表した。このプロジェクトは2030年までに韓国を世界最先端の半導体技術国として確立することを目標とする。投資分野は3nmプロセス以下の極細線幅半導体製造技術、次世代メモリ技術、AI専用チップ設計技術に重点を置く。サムスン電子とSKハイニックスが中核企業として参画し、KAIST、ソウル大学等の研究機関と産学連携体制を構築する。特に3D NAND型フラッシュメモリの1000層超積層技術、DRAMの10nm以下プロセス技術の実用化を目指す。また人材育成にも注力し、半導体分野の博士課程学生1,000名、修士課程学生3,000名の育成支援を行う。李科学技術情報通信部長官は「韓国の半導体産業の技術主導権確保と雇用創出により、国家競争力を飛躍的に向上させる」と強調した。